- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM超低电压内核和I/O电源，宽频率范围
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
- 商品编号
- C20432330
- 商品封装
- 556-WFBGA (12.4x12.4)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 64Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.06V~1.17V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 超低电压核心和输入/输出电源供应
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；1.80 V 标称
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；1.10 V 标称
- VDDQ = 0.57 - 0.65 V；0.60 V 标称或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V；1.10 V 标称
- 频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体用于并发操作
- 单数据率命令/地址输入
- 每字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟
- 可编程和动态突发长度
- 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 最高每通道8.5 GB/s
- 片上温度传感器控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- 符合RoHS的绿色封装
- 可编程VSS（ODT）终端
- 单端CK和DQS支持
- FCQ38999/26MD5ABMIL-STD-461
- GTC00CF32-62P-LC
- A/MLP2-003-W-B-A-B-0P
- A/RH2-TT100-O-SUN-2
- A/GP(0-100G)-20-P-N4
- FCQ38999/20MJ20SEMIL-STD-461
- GTC06A20-16S-023-LC
- ACC02A28-AYP-003-B30-LC
- GTC06CFZ28-11SZ-025-RDS-LC
- A/RH2-TT100-D-BB-1
- F872BK473M480C
- GTC06R28-7P-025-B30-LC
- FCQ38999/25YC13PDMIL-STD-461
- A/RH1-20K-D-NIST
- FCQ38999/24TG41PCMIL-STD-461
- A/MLP2-500-P-U-A-B-0P
- A/WPR2-300-M20-LCD
- GTC01RV20-3SZ-LC
- A/MLP2-001-W-U-A-A-0P
- A/DLP-005-W-U-N-A-3-B-3P-S
- A/MLP2-005-W-U-B-B-0P