- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C
LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C
- 商品编号
- C20431894
- 商品封装
- 556-WFBGA (12.4x12.4)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 64Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.06V~1.17V | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 超低电压核心和输入/输出电源供应
- 核心电压VDD1为1.70至1.95伏，标称1.80伏
- 辅助电压VDD2为1.06至1.17伏，标称1.10伏
- 输入/输出电压VDDQ为0.57至0.65伏，标称0.60伏，或为1.06至1.17伏，标称1.10伏
- 频率范围为2133至10兆赫兹
- 采用16倍预取双倍数据速率架构
- 每个通道具有8个内部存储体以支持并发操作
- 采用单倍数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道配备双向/差分数据选通信号
- 可编程的读取和写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持定向每存储体刷新，便于命令调度
- 每通道最高数据传输速率可达每秒8.5吉字节
- 集成温度传感器以控制自刷新速率
- 支持部分阵列自刷新功能
- 可选输出驱动强度
- 支持时钟停止功能
- 符合有害物质限制指令的环保封装
- 可编程的接地参考电压端接
- 支持单端时钟和数据选通信号
- 阵列配置为1吉比特乘64位或2吉比特乘64位
- 采用细间距球栅阵列封装
- 速度等级对应周期时间为468皮秒
- 符合汽车电子委员会标准
- 支持生产件批准程序
- 工作温度范围为-40摄氏度至+125摄氏度
- 690367281876
- GTC02R16S-14P-023-B30-LC
- ACC00A28-3PZ-003-LC
- FCQ38999/27NC35PCMIL-STD-461
- AFY480272B0-4.3N12NTM
- C0603X5R1A333K030BC
- FCQ38999/24WJ7ABMIL-STD-461
- FCQ38999/20JH6AEMIL-STD-461
- FCQ38999/26JD35HCMIL-STD-461
- FCQ38999/24TD4AEMIL-STD-461
- HE1-32-S-A-2-BK
- FCQ38999/25YE6PAMIL-STD-461
- MKP1U012704B00KSC9
- FCQ38999/26TE99PAMIL-STD-461
- FCQ38999/24KB35PEMIL-STD-461
- GTC030RV24-20PX-025-LC
- AF-2
- FCQ38999/25YD5PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26WC4AAMIL-STD-461
- GTC06R20-18SZ-023-LC
- FCQ38999/20WB5SEMIL-STD-461