MT47H256M8THN-25E:H TR
2Gb:x4,x8 Twin Die DDR2 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT47H256M8THN-25E:H TR
- 商品编号
- C20428592
- 商品封装
- 63-FBGA (8x10)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 400MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 72mA | |
| 刷新电流 | 14mA | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
2Gb（双芯片）DDR2 SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储设备，包含2,147,483,648位，内部配置为两个8存储体的1Gb DDR2 SDRAM设备。每个DDR2 SDRAM芯片采用双倍数据速率架构实现高速运行。双芯片的寻址方式与单芯片设备相同，此外，多个片选信号可选择所需的存储体组。本双芯片数据手册仅提供一般描述、封装尺寸和引脚分配信息，如需了解单个芯片初始化、寄存器定义、命令描述和芯片操作的完整信息，请参考美光1Gb DDR2数据手册。
商品特性
- 使用美光1Gb芯片
- 两个存储体组（包括双CS#、ODT和CKE引脚）
- 每个存储体组有8个内部存储体用于并发操作
- VDD = VDDQ = +1.8V ± 0.1V
- JEDEC标准63引脚封装
- 薄型封装尺寸（最大厚度1.2mm）