- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOB66914L
AOB66914L
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOB66914L
- 商品编号
- C20266188
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.19nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGT技术
- 极低的RDS(ON)
- 优化的开关性能
- 175°C 工作温度
- 符合RoHS和无卤标准
商品特性
- 低漏源导通电阻
- Q1 N沟道：
- RDS(ON) = 39.1 mΩ（最大值）（VGS = 4.5 V时）
- RDS(ON) = 53 mΩ（最大值）（VGS = 2.5 V时）
- RDS(ON) = 82 mΩ（最大值）（VGS = 1.8 V时）
- Q2 P沟道：
- RDS(ON) = 45 mΩ（最大值）（VGS = -10 V时）
- RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）（VGS = -4.5 V时）
- RDS(ON) = 76 mΩ（最大值）（VGS = -2.5 V时）
- RDS(ON) = 157 mΩ（最大值）（VGS = -1.8 V时）
应用领域
-电信DC-DC电源-工业电源-负载开关-电信热插拔