AOC3870C

• 沟槽功率MOSFET技术
• 超低 RSS(ON)
• 具备ESD保护,以提升电池性能和安全性
• 采用共漏极配置,简化设计
• 符合RoHS标准且无卤

• 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.3Ω（典型值）
• 高正向传输导纳：|Yfs| = 3.0S（典型值）
• 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 500 V）
• 增强型：Vth = 2.4 至 4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

-电池保护开关-移动设备电池充放电