AOD2144
商品参数
参数完善中
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 优化的耐用性
- 符合RoHS和无卤标准
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：Q_SW = 32 nC（典型值）
- 输出电荷小：Q_oss = 88 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 2.5 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低： IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 100 V）
- 增强模式：V_th = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V， ID = 0.5 mA）
应用领域
-直流电机驱动器-直流/直流和交流/直流转换器中的同步整流