AOD2144
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 895pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 优化的耐用性
- 符合RoHS和无卤标准
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小:Q_SW = 32 nC(典型值)
- 输出电荷小:Q_oss = 88 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 2.5 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 漏电流低: IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
- 增强模式:V_th = 2.5 至 3.5 V(VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)
应用领域
-直流电机驱动器-直流/直流和交流/直流转换器中的同步整流


