- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 40.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 187.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.716nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 71pF |
商品概述
-沟槽功率MOSFET技术-低 RDS(on)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 专有α碳化硅(αSiC)MOSFET技术
- 低损耗,低导通电阻(RDS,ON)
- 低栅极电阻(RG)和低电容,开关速度快
- 优化的栅极驱动电压(VGS = 15 V)
- 低反向恢复电荷(Qrr)
- 通过AEC - Q101汽车级认证
应用领域
- 新能源汽车充电器
- 电动汽车供电设备(EVSE)
- 电机驱动器
- 汽车逆变器