AOM065V120X2Q

-沟槽功率MOSFET技术-低 RDS(on)-符合RoHS标准且无卤

• 专有α碳化硅(αSiC)MOSFET技术
• 低损耗,低导通电阻(RDS,ON)
• 低栅极电阻(RG)和低电容,开关速度快
• 优化的栅极驱动电压(VGS = 15 V)
• 低反向恢复电荷(Qrr)
• 通过AEC - Q101汽车级认证

• 新能源汽车充电器
• 电动汽车供电设备(EVSE)
• 电机驱动器
• 汽车逆变器