温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
-沟槽功率MOSFET技术-低 RDS(on)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 专有α碳化硅(αSiC)MOSFET技术
- 低损耗,低导通电阻(RDS,ON)
- 低栅极电阻(RG)和低电容,开关速度快
- 优化的栅极驱动电压(VGS = 15 V)
- 低反向恢复电荷(Qrr)
- 通过AEC - Q101汽车级认证
应用领域
- 新能源汽车充电器
- 电动汽车供电设备(EVSE)
- 电机驱动器
- 汽车逆变器
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-沟槽功率MOSFET技术-低 RDS(on)-符合RoHS标准且无卤