- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD66919
AOD66919
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD66919
- 商品编号
- C20266207
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 790pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 逻辑电平驱动
- 出色的Qg × RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 符合RoHS 2.0标准且无卤
商品特性
- 第三代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 低二极管正向电压：VDSF = -1.35V（典型值）
- 高电压：VDSS = 1200V
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 15mΩ（典型值）
- 由于高阈值电压，不易发生故障：Vth = 3.0至5.0V（VDS = 10V，ID = 11.7mA）
- 推荐栅源驱动电压：VGS_on = 18V，VGS_off = 0V
- 增强型模式。
应用领域
-高频开关和同步整流