- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOE66410
AOE66410
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOE66410
- 商品编号
- C20266211
- 商品封装
- DFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.83mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
-热增强型XSFET封装-沟槽功率AlphaSGT技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-针对次级侧同步整流器的公共接地进行优化-符合RoHS标准且无卤
应用领域
-DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-充电器