- 引脚图
- 焊盘图
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AONH36328
AONH36328
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AONH36328
- 商品编号
- C20266247
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@10V；7.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W；23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V；1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC；11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 700pF；700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF；24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF；180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V；±16V |
商品概述
-最新沟槽功率MOSFET技术-在4.5 VGS下具有极低的导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-高电流承载能力-符合RoHS和无卤标准
商品特性
- 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻Rg测试
- 人体模型(HBM)2级静电防护
应用领域
- 计算机、服务器和负载点(POL)的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器