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AONP36332
N沟道 30V
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AONP36332
- 商品编号
- C20266249
- 商品封装
- DFN-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 专有α碳化硅（αSiC）MOSFET技术
- 低损耗，低导通电阻（RDS,ON）
- 低栅极电阻（RG）和低电容，开关速度快
- 优化的栅极驱动电压（VGS = 15 V）
- 低反向恢复电荷（Qrr）
- 通过AEC - Q101汽车级认证
应用领域
-计算领域的升降压转换器-负载点转换器