- 引脚图
- 焊盘图
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AONR66620
AONR66620
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AONR66620
- 商品编号
- C20266256
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGTTM技术
- 同类产品中最低的RDS(ON)
- 低开关损耗
- 逻辑电平栅极驱动
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
-同步整流-高频DC/DC转换器