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AONS66407
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 370A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 215W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.55nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率 MOSFET - AlphaSGT 技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
- 符合 RoHS 2.0 标准且无卤
应用领域
-同步整流