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AONS66917

Trench Power AlphaSGT技术,100V,低导通电阻,低栅极电荷

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品牌名称
AOS
商品型号
AONS66917
商品编号
C20266290
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))2.9mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)5.94nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.475nF

商品特性

  • 热阻RθJA的值是在器件安装在1平方英寸、含2盎司铜的FR - 4板上,环境温度TA = 25°C的静止空气环境中测量得到的。功耗PDSM基于RθJA t ≤ 10s以及最大允许结温150°C。任何特定应用中的数值取决于用户的具体电路板设计。
  • 功耗PD基于结温TJ(MAX) = 150°C,使用结到外壳的热阻,在设置使用额外散热装置情况下的上功耗极限时更有用。
  • 单脉冲宽度受结温TJ(MAX) = 150°C限制。
  • RθJA是结到外壳热阻RθJC与外壳到环境热阻之和。
  • 图1至图6中的静态特性是使用小于300微秒的脉冲、最大占空比0.5%获得的。
  • 这些曲线基于结到外壳的热阻抗,该热阻抗是在器件安装到大型散热器上测量得到的,假设最大结温TJ(MAX) = 150°C。SOA曲线提供单脉冲额定值。
  • 最大电流额定值受封装限制。
  • 这些测试是在器件安装在1平方英寸、含2盎司铜的FR - 4板上,环境温度TA = 25°C的静止空气环境中进行的。

数据手册PDF