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AONY36356
30V双不对称N沟道MOSFET，采用沟槽功率MOSFET技术，低导通电阻、低栅极电荷、高电流能力，符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AONY36356
- 商品编号
- C20266303
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A；32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V；5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W；22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC；30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF；2.005nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF；35pF | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF；300pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V；±20V |
商品概述
-沟槽功率MOSFET技术-在VGS为4.5V时具有低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-高电流承载能力-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 650V增强型氮化镓晶体管
- 常关设计
- 超低栅极电荷（Qg）
- 无反向恢复电荷（Qrr）
- 低电感
应用领域
-计算机中的DC/DC转换器