- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOT66811L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.58nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT2技术
- 低导通电阻RDS(ON)和优化的开关性能
- 符合RoHS 2.0标准且无卤
商品特性
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
- 最高结温Tj = 175°C
- 绿色环保产品
应用领域
-工业应用-电信和服务器电源