- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOTF5B65M2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 15A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.57V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 348pF | |
| 输出电容(Coes) | 40pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 8.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 106ns | |
| 导通损耗(Eon) | 80uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 70uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 173ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |