商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 270nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品概述
- 专有αMOS5 TM技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 优化开关参数，实现更佳的电磁干扰 (EMI) 性能
- 增强型体二极管，具备高耐用性和快速反向恢复能力
应用领域
- 适配器、个人电脑主机、服务器、游戏电源、工业设备、电视、照明设备的功率因数校正 (PFC) 和脉冲宽度调制 (PWM) 级（反激式、 LLC）