商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 270nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低导通电阻RDS(ON)与宽安全工作区(SOA)相结合
- 支持更高的浪涌电流,实现更快启动和更短停机时间
- 符合RoHS 2.0标准且无卤
- 额定结温Tj=175°C
应用领域
-负载开关-电池管理系统(BMS)-电机