- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOT66518L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 820pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低导通电阻RDS(ON)与宽安全工作区(SOA)相结合
- 支持更高的浪涌电流,实现更快启动和更短停机时间
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
-电信-工业电源-负载开关