- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AONS66609
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 304A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 215W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- AlphaSGT N沟道功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 增强型体二极管性能
- 符合RoHS 2.0标准且无卤
应用领域
-电机和电池管理系统(BMS)-DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流