AONS66620
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
- 最新沟槽功率MOSFET技术-在4.5 VGS下具有极低的导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-高电流承载能力-符合RoHS和无卤标准
商品特性
- 100%进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻Rg测试
- 人体模型（HBM）2级静电防护
应用领域
- 计算机、服务器和负载点（POL）的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器