商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGT技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 100%进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻Rg测试
- 人体模型（HBM）2级静电防护
应用领域
- 开关电源(SMPS)中的同步整流
- ATX和游戏电源
- 开关应用