- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- RθJA值是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜的FR - 4板上，静止空气环境（TA = 25°C）中测量得出。功耗PDSM基于RθJA t ≤ 10s和最高允许结温150°C。任何特定应用中的值取决于用户的具体电路板设计。
- 功耗PD基于TJ(MAX) = 150°C，使用结到壳的热阻，在使用额外散热装置的情况下，对于设定最大功耗限制更有用。
- 单脉冲宽度受结温TJ(MAX) = 150°C限制。
- RθJA是结到壳热阻RθJC和壳到环境热阻之和。
- 图1至图6中的静态特性是使用小于300微秒的脉冲、最大占空比0.5%获得的。
- 这些曲线基于结到壳的热阻抗，该热阻抗是在器件安装在大型散热片上，假设最大结温TJ(MAX) = 150°C的情况下测量得出。SOA曲线提供单脉冲额定值。
- 最大电流额定值受封装限制。
- 这些测试是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜的FR - 4板上，静止空气环境（TA = 25°C）中进行的。
- L = 100uH，Fsw = 1Hz，通过重复UIS使Tj ≤ 150°C