AOK040A60
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 专有α MOS5技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 优化开关参数,提升电磁干扰(EMI)性能
- 增强型体二极管,具备高可靠性和快速反向恢复能力
应用领域
- 服务器、电信、工业、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器的功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)级( LLC、全桥移相(FSFB)、三端变压器(TTF))


