- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON6264C
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 895pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 逻辑电平栅极驱动
- 静电放电保护
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 符合RoHS 2.0标准且无卤
商品特性
- 专有αSiC MOSFET技术
- 低损耗，导通电阻RDS(ON)低
- 低栅极电阻RG和低电容，开关速度快
- 优化的栅极驱动电压（VGS = 15 V）
- 低反向恢复二极管电荷（Qrr）
应用领域
-高频开关和同步整流