- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOI450A70
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 405mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.115nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 专有α MOS5技术
- 低RDS(ON)
- 优化开关参数,以实现更好的电磁干扰(EMI)性能
- 增强体二极管,具备高耐用性和快速反向恢复能力
应用领域
- 适配器、PC主机、服务器、游戏电源、工业设备、电视、照明设备的功率因数校正(PFC)和脉冲宽度调制(PWM)级(反激式、 LLC谐振)