- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 超低 RSS(ON)
- 共漏极配置,设计简单
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 快速反向恢复时间：trr = 40 ns（典型值）
- 小反向恢复电荷：Qrr = 34 nC（典型值）
- 小栅极电荷：QSW = 11.7 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.3 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 150 V）
- 增强模式：Vth = 3.1 至 4.5 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
应用领域
-电池保护开关-移动设备电池充放电