温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 超低 RSS(ON)
- 共漏极配置,设计简单
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 快速反向恢复时间：trr = 40 ns（典型值）
- 小反向恢复电荷：Qrr = 34 nC（典型值）
- 小栅极电荷：QSW = 11.7 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.3 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 150 V）
- 增强模式：Vth = 3.1 至 4.5 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
应用领域
-电池保护开关-移动设备电池充放电