商品参数
参数完善中
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGT技术
- 低RDS(ON)与宽安全工作区(SOA)相结合
- 支持更高的浪涌电流,实现更快启动和更短停机时间
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.8 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 40 V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 3.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）
应用领域
-电信热插拔-负载开关-电池管理系统(BMS)-电机