- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOB66918L
AOB66918L
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOB66918L
- 商品编号
- C20266189
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.2nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGT技术
- 低RDS(ON)与宽安全工作区(SOA)相结合
- 支持更高的浪涌电流,实现更快启动和更短停机时间
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.8 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 40 V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 3.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）
应用领域
-电信热插拔-负载开关-电池管理系统(BMS)-电机