M95512-DRDW3TP/K

M95512 DRDW3TP/K

描述: 汽车用512 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95512-DRDW3TP/K
商品编号: C2061771
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.147克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次
	功能特性	内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃

商品概述

M95512-A125和M95512-A145是512-Kbit串行EEPROM汽车级器件，工作温度最高可达145℃。它们符合汽车标准AEC-Q100等级0所定义的高可靠性水平。这些器件通过简单的串行SPI兼容接口访问，运行速度最高可达16 MHz。存储阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦除可编程存储器），为字节可修改存储器（65536×8位），组织为512页，每页128字节，数据完整性至关重要。

商品特性

兼容串行外设接口（SPI）总线
512 Kbit（64 Kbyte）EEPROM；页大小：128字节；支持按块写保护（1/4、1/2或整个存储器）；额外的可写锁定页（识别页）
扩展的温度和电压范围：最高125℃（VCC从1.7V到5.5V）；最高145℃（VCC从2.5V到5.5V）
高速时钟频率：VCC≥4.5V时为16 MHz；VCC≥2.5V时为10 MHz；VCC≥1.7V时为5 MHz
施密特触发器输入用于噪声滤波
短写入周期时间：字节写入在4 ms内；页写入在4 ms内
写入周期耐久性：25℃下400万次写入周期；85℃下120万次写入周期；125℃下60万次写入周期；145℃下40万次写入周期
数据保留：125℃下50年；25℃下100年
ESD保护（人体模型）：4000 V
封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）

应用领域

汽车领域（符合AEC-Q100等级0标准）
需高可靠性、宽温范围的串行存储应用场景
对数据完整性要求高的电子系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	512Kbit
	时钟频率(fc)	16MHz
	写周期时间(Tw)	4ms