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M95160-DRDW3TP/K

支持高速时钟的汽车级16 Kbit串行SPI总线EEPROM

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描述: 汽车用16 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95160-DRDW3TP/K
商品编号: C2062051
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.24克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	1.5mA
	待机电流	6uA
	读取访问时间(tA)	-

商品概述

M95160-A125和M95160-A145是16-Kbit串行EEPROM汽车级器件，工作温度最高可达145℃。它们符合汽车标准AEC-Q100等级0定义的极高可靠性水平。这些器件通过简单的串行SPI兼容接口访问，运行速度最高可达20 MHz。存储阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦除可编程存储器）。M95160-A125和M95160-A145是字节可更改存储器（2048×8位），组织方式为...（原文此处内容截断，保留现有信息）

商品特性

符合AEC-Q100等级0认证
兼容串行外设接口（SPI）总线
存储阵列：16 Kbit（2 Kbyte）EEPROM；页大小32字节；支持1/4、1/2或整个存储器的块写保护；额外提供可写锁定的标识页
扩展温度与电压范围：1.7V至5.5V时最高125℃；2.5V至5.5V时最高145℃
高速时钟频率：V_CC≥4.5V时20 MHz；V_CC≥2.5V时10 MHz；V_CC≥1.7V时5 MHz
施密特触发器输入用于噪声滤波
短写入周期：字节写入≤4 ms；页写入≤4 ms
写入周期耐久性：25℃时400万次；85℃时120万次；125℃时60万次；145℃时40万次
数据保留：125℃时50年；25℃时100年
ESD保护（人体模型）：4000 V
封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
封装选项：SO8（MN，宽度150 mil）、TSSOP8（DW，宽度169 mil）、WFDFPN8（MF，尺寸2×3 mm）

应用领域

汽车领域相关设备或系统
需要高可靠性、宽温范围的串行存储应用场景
支持SPI接口的嵌入式系统存储需求

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	16Kbit
	时钟频率(fc)	20MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次