M95040-DRMN8TP/K

M95040-DRE是一款4-Kbit串行EEPROM器件，工作温度最高可达105℃，符合AEC-Q100等级2的可靠性标准。该器件通过简单的串行SPI兼容接口访问，最高速率可达20 MHz。存储阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦可编程存储器），为字节可修改存储器（512×8位），组织为32页，每页16字节，其数据完整性通过嵌入式纠错码逻辑得到提升。M95040-DRE还提供一个额外的识别页（16字节），可用于存储敏感应用参数，这些参数之后可被永久锁定为只读模式。

• 兼容串行外设接口（SPI）总线
• 4 Kbit（512字节）EEPROM；页大小为16字节；支持按块（1/4、1/2或整个存储器）写保护；额外的可写锁定识别页
• 扩展的温度和电压范围：最高105℃（Vcc范围1.7V至5.5V）
• 高速时钟频率：Vcc≥4.5V时为20 MHz，Vcc≥2.5V时为10 MHz，Vcc≥1.7V时为5 MHz
• 施密特触发器输入，用于噪声滤波
• 短写周期时间：字节写入在4ms内完成，页写入在4ms内完成
• 写周期耐久性：25℃下400万次，85℃下120万次，105℃下90万次
• 数据保持时间：105℃下超过50年，55℃下200年
• ESD保护（人体模型）：4000V
• 符合RoHS标准且无卤素的封装，包括SO8（MN）150 mil宽度、TSSOP8（DW）169 mil宽度、WFDFPN8（MF）DFN8-2×3 mm