MT49H8M36SJ-25:B TR
MT49H8M36SJ 25:B TR
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- 描述
- Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT49H8M36SJ-25:B TR
- 商品编号
- C2062137
- 商品封装
- FBGA-144(11x18.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | DRAM |
| 存储器格式 | DRAM |
| 时钟频率 | 400MHz |
| 存储容量 | 288Mb（8M x 36） |
| 访问时间 | 20ns |
| 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C（TC） |
| 供应商器件封装 | 144-FBGA（18.5x11） |
| 写周期时间-字，页 | - |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压-供电 | 1.7V ~ 1.9V |
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