- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT49H8M36SJ-25E:B
MT49H8M36SJ-25E:B
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- 描述
- Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT49H8M36SJ-25E:B
- 商品编号
- C2065622
- 商品封装
- FBGA-144(11x18.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 533 MHz DDR操作（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4 Gb/s峰值带宽（在533 MHz时钟频率下为x36）
- 组织形式：32 Meg x 9、16 Meg x 18和8 Meg x 36
- 8个内部存储体，用于并发操作和最大带宽
- 缩短周期时间（533 MHz时为15ns）
- 非复用地址（提供地址复用选项）
- SRAM型接口
- 可编程读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 写入命令的数据掩码
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上DLL生成CK边缘对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- 32ms刷新（每个存储体8K刷新；每32ms必须总共发出64K刷新命令）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V V_EXT、1.8V V_DD、1.5V或1.8V V_DDQ I/O
- 片上终端（ODT）R_TT
- MT44K16M36RB-093F:B TR
- MT49H32M18CSJ-18:B TR
- 70V37L15PFG8
- IS61NLP204818B-200TQLI-TR
- 71T75902S75PFGI8
- IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR
- IS61WV25616BLS-25TLI-TR
- 70V25S25PFGI8
- IS42RM32100D-6BLI-TR
- IS43LR32160B-6BL-TR
- IS42S16160J-6TLI-TR
- IS61VPS204836B-250TQLI-TR
- IS62WV102416EALL-55BLI-TR
- IS42SM16160K-6BLI-TR
- 71V424S12PHGI8
- 71V424L10PHGI8
- 71V424L12PHGI8
- 70V28L20PFGI8
- 70V28L15PFG8
- IS61VF204836B-7.5TQLI-TR
- IS61VPS204836B-200TQLI-TR