M95080-DFMN6TP

8-Kbit SPI接口EEPROM

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描述: M95080-DFMN6TP是一款8-Kbit（1 Kbyte）SPI接口EEPROM，支持高速20 MHz时钟，工作电压1.8V至5.5V，工作温度范围-40°C至+85°C，具有超过4百万次写周期寿命和超过200年的数据保留时间。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95080-DFMN6TP
商品编号: C2062242
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.194克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	200年
	写周期寿命	400万次
	功能特性	内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置写使能锁存器(WEL)；软件写保护功能
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃

商品概述

M95080系列器件是电可擦除可编程存储器（EEPROM），组织形式为1024×8位，通过SPI总线访问。M95080-W的工作电压范围为2.5V至5.5V，M95080-R为1.8V至5.5V，M95080-DF为1.7V至5.5V，环境温度范围为-40℃至+85℃。M95080-D提供额外的标识页（32字节），可用于存储敏感应用参数，且可永久锁定为只读模式。

商品特性

兼容串行外设接口（SPI）总线
存储阵列：8 Kb（1 K字节）EEPROM，页大小32字节；M95080-D包含额外的可写锁定标识页
写入性能：字节写入时间≤5ms，页写入时间≤5ms
写保护：支持四分之一、一半或整个存储阵列的写保护
高速时钟：20 MHz
单电源电压：M95080-W为2.5V~5.5V，M95080-R为1.8V~5.5V，M95080-DF为1.7V~5.5V
工作温度范围：-40℃至+85℃
增强型ESD保护
写入周期：超过400万次
数据保留时间：超过200年
封装形式：SO8（MN，宽度150 mil）、TSSOP8（DW，宽度169 mil）、UFDFPN8（MC，尺寸2×3 mm）
符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	8Kbit
	时钟频率(fc)	20MHz
	写周期时间(Tw)	5ms