M95512-DRDW8TP/K

M95512-DRE是一款512-Kbit串行EEPROM器件，工作温度最高可达105℃。它符合AEC-Q100等级2定义的可靠性标准。该器件通过简单的串行SPI兼容接口访问，运行速度最高可达16 MHz。其存储阵列基于先进的真EEPROM技术，可按字节修改（65536×8位），组织为512页，每页128字节，并嵌入纠错码（Error Correction Code）逻辑以显著提高数据完整性。该器件还提供一个额外的识别页（128字节），可读取ST器件标识；此页也可存储敏感应用参数，并可永久锁定为只读模式。

• 兼容串行外设接口（SPI）总线。
• 512 Kbit（64 Kbytes）EEPROM，页大小为128字节。
• 支持按块（1/4、1/2或整个存储器）写保护，以及额外的可写锁定识别页。
• 扩展的温度和电压范围：最高105℃（Vcc范围1.7V至5.5V）。
• 高速时钟频率：16 MHz（Vcc≥4.5V）、10 MHz（Vcc≥2.5V）、5 MHz（Vcc≥1.7V）。
• 施密特触发器输入，用于噪声滤波。
• 短写入周期时间：字节写入在4 ms内完成；页写入在4 ms内完成。
• 写入周期耐久性：25℃下400万次，85℃下120万次，105℃下90万次。
• 数据保留时间：105℃下超过50年，55℃下200年。
• 静电放电（人体模型）保护：4000 V。
• 符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）。
• 提供多种封装：SO8（MN）150 mil宽度、TSSOP8（DW）169 mil宽度、WFDFPN8（MF）、DFN8-2×3 mm。