M93C66-RDW3TP/K

M93C66 RDW3TP/K

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描述: 汽车用4-Kbit MICROWIRE串行EEPROM
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M93C66-RDW3TP/K
商品编号: C2062291
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.147克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；内置错误纠正码(ECC)功能；噪声抑制功能
	工作电压	1.8V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	1.5mA
	待机电流	15uA
	读取访问时间(tA)	200ns

商品概述

M93C46（1Kbit）、M93C56（2Kbit）、M93C66（4Kbit）、M93C76（8Kbit）和M93C86（16Kbit）是通过MICROWIRE总线协议访问的电可擦可编程存储器（EEPROM）设备。内存阵列可配置为字节（x8b）或字（x16b）。M93Cx6-A125设备的供电电压范围为1.8V至5.5V，工作温度范围为-40℃至+125℃，符合汽车标准AEC-Q100 Grade1。

商品特性

采用行业标准MICROWIRE总线
内存阵列大小：1Kb、2Kb、4Kb、8Kb或16Kb
双组织方式：字（x16）或字节（x8）
写入时间：字节4ms，字4ms
编程期间提供READY/BUSY信号
时钟速率2MHz
支持顺序读取操作
单电源供电：1.8V至5.5V
工作温度范围：-40℃至125℃
增强型ESD保护
写入周期耐久性：25℃下4百万次，85℃下1.2百万次，125℃下600k次
数据保留时间：125℃下50年，25℃下超过100年
封装符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2）
编程内部自定时，无需在写入指令前执行擦除周期
内部上电数据保护机制，供电过低时禁止设备运行
顺序读取时地址寄存器自动递增，芯片选择输入保持高电平时可输出连续数据流

应用领域

适用于汽车电子系统
适用于需要高可靠性存储的汽车级电子设备场景
适用于宽温范围和宽电压范围的汽车电子应用领域
适用于需要长数据保留和高写入周期的汽车电子系统
适用于符合AEC-Q100 Grade1标准的汽车电子设备
适用于需要ESD保护的汽车电子存储应用
适用于通过MICROWIRE总线协议通信的汽车电子设备
适用于需要顺序读取和自定时编程的汽车电子存储场景
适用于需要字节或字组织方式的汽车电子存储应用
适用于RoHS合规和无卤素要求的汽车电子设备
适用于需要内部上电保护机制的汽车电子存储设备
适用于需要连续数据流输出的汽车电子存储应用
适用于1Kbit至16Kbit存储容量需求的汽车电子设备
适用于1.8V至5.5V供电的汽车电子存储场景
适用于-40℃至125℃工作温度范围的汽车电子设备
适用于需要READY/BUSY信号的汽车电子编程场景
适用于2MHz时钟速率的汽车电子存储应用
适用于无需预擦除的汽车电子写入操作场景
适用于地址自动递增的汽车电子顺序读取应用
适用于符合汽车标准的高可靠性存储设备
适用于需要长寿命数据保留的汽车电子系统
适用于需要高写入周期的汽车电子存储设备
适用于需要ESD保护的汽车电子存储应用
适用于宽电压范围的汽车电子存储设备
适用于宽温范围的汽车电子存储应用
适用于符合RoHS和无卤素要求的汽车电子设备
适用于通过MICROWIRE总线通信的汽车电子存储设备
适用于需要双组织方式的汽车电子存储应用
适用于需要自定时编程的汽车电子存储设备
适用于需要内部上电保护的汽车电子存储应用
适用于需要连续数据流输出的汽车电子存储场景
适用于1Kbit至16Kbit存储容量的汽车电子设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	4Kbit
	时钟频率(fc)	2MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次