M95256-DRMN8TP/K

256 Kbit串行SPI总线EEPROM 105℃工作温度

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描述: 256 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95256-DRMN8TP/K
商品编号: C2061889
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.194克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	50年
	写周期寿命	400万次
	功能特性	内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+105℃

商品概述

M95256-DRE是一款256-Kbit串行EEPROM器件，工作温度最高可达105℃。该器件符合AEC-Q100等级2定义的可靠性水平。可通过简单的串行SPI兼容接口访问，接口运行速度最高可达20 MHz。存储阵列基于先进的真正EEPROM技术（电可擦除可编程存储器）。该器件为字节可更改存储器（32768×8位），组织为512页，每页64字节，内置纠错码逻辑可显著提高数据完整性。M95256-DRE提供额外的识别页（64字节），可读取ST器件标识；该页还可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

兼容串行外设接口（SPI）总线
256 Kbit（32 Kbytes）EEPROM；页大小：64字节
按块写保护：1/4、1/2或整个存储器；额外的可写锁定识别页
扩展的温度和电压范围：最高105℃（Vcc从1.7V至5.5V）
高速时钟频率：Vcc≥4.5V时为20 MHz；Vcc≥2.5V时为10 MHz；Vcc≥1.7V时为5 MHz
施密特触发器输入，用于噪声滤波
短写周期时间：字节写入在4 ms内；页写入在4 ms内
写周期耐久性：25℃时400万次写周期；85℃时120万次写周期；105℃时90万次写周期
数据保留：105℃时超过50年；55℃时200年
ESD保护（人体模型）：4000 V
封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
提供SO8（MN）150 mil宽度、TSSOP8（DW）169 mil宽度、WFDFPN8（MF）DFN8-2×3 mm封装选项

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	256Kbit
	时钟频率(fc)	20MHz
	写周期时间(Tw)	4ms