MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR
MT28EW01GABA1HPC 0SIT TR
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR
- 商品编号
- C2061797
- 商品封装
- LBGA-64(11x13)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 200ms@(128KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;软件写保护 |
商品特性
- 单级单元(SLC)工艺技术
- 密度:1Gb
- 电源电压:
- VCC = 2.7 - 3.6V(编程、擦除、读取)
- VCCQ = 1.65 - VCC(I/O缓冲器)
- 异步随机/页读取
- 页大小:16字或32字节
- 页访问时间:20ns
- 随机访问时间:95ns(VCC = VCCQ = 2.7 - 3.6V)
- 随机访问时间:100ns(VCCQ = 1.65 - VCC)
- 缓冲编程(512字编程缓冲器)
- 使用全缓冲编程时为2.0MB/s(典型值)
- 使用加速缓冲编程(VHH)时为2.5MB/s(典型值)
- 字/字节编程:每字25μs(典型值)
- 块擦除(128KB):0.2s(典型值)
- 内存组织:统一块,每个128KB或64KW
- x8/x16数据总线
- 编程/擦除暂停和恢复功能
- 在编程暂停操作期间可从另一个块读取
- 在擦除暂停操作期间可读取或编程另一个块
- 解锁旁路、块擦除、芯片擦除和写入缓冲器功能
- 空白检查操作以验证已擦除的块
- 循环冗余校验(CRC)操作以验证编程模式
- VPP/WP#保护
- 无论块保护设置如何,都可保护第一个或最后一个块
- 软件保护
- 易失性保护
- 非易失性保护
- 密码保护
- 扩展内存块
- 128字(256字节)块用于永久、安全识别
- 可在工厂或由客户进行编程或锁定
- 符合JESD47标准
- 每个块至少100,000次擦除循环
- 数据保留时间:20年(典型值)
- 封装:
- 56引脚TSOP,14×20mm(JS)
- 64球LBGA,11×13mm(PC)
- 符合RoHS标准,无卤素封装
- 工作温度:
- 环境温度:-40°C ~ +85°C
相似推荐
其他推荐
- MT25QL128ABA8E12-0AAT TR
- MT28EW128ABA1HPN-0SIT
- MT25QL01GBBB8E12-0SIT TR
- MT25QU01GBBB8E12-0SIT
- MT28EW01GABA1LJS-0AAT
- MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR
- MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
- MT25QU512ABB8E12-0SIT
- MT25QU512ABB8ESF-0SIT
- MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR
- MT25QL128ABA8E12-0SIT
- MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR
- MT25QU256ABA1EW9-0SIT
- MT25QU128ABA8E12-0SIT TR
- MT25QL128ABA8E12-1SIT TR
- MT25QU128ABA8ESF-0AAT TR
- MT25QU256ABA1EW7-0SIT
- MT25QU256ABA8E12-0AAT TR
- MT25QL512ABB1EW9-0SIT
- MT25QL256ABA8ESF-0AAT
- MT28EW512ABA1LJS-0AAT TR
