IS43QR8K02S2A-083TBL-TR
2Gx8 16Gb DDR4 SDRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43QR8K02S2A-083TBL-TR
- 商品编号
- C20189626
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.2GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；内置温度传感器；输出使能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
这款16Gb DDR4 SDRAM是高速动态随机存取存储器，采用双列设计，每列有4个存储体组，每个组包含4个存储体。DDR4 SDRAM使用8n预取架构实现高速操作，该架构与接口相结合，可在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。DDR4 SDRAM的读写操作是突发式的，从选定位置开始，按照编程序列进行8个突发长度或4个“截断”突发的操作。操作从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要激活的存储体和行，与读或写命令同时注册的地址位用于确定突发操作的起始列位置，并确定是否使用自动预充电以及选择BC4或BL8模式（如果在模式寄存器中启用）。在正常操作之前，DDR4 SDRAM的每列必须以预定义的方式分别上电和初始化。该设备有两列共享地址、数据和命令I/O的存储器，因此必须确保适当的参数时序、信号和命令序列以及兼容的操作状态，以避免总线冲突或故障。
商品特性
- 双列设计：每列有独立的片选信号（CS上划线）、片内终结电阻（ODT）和时钟使能信号（CKE）
- 标准电压：VDD = VDDQ = 1.2V，VPP = 2.5V
- 高速数据传输速率，系统频率高达2400Mbps
- 数据完整性：
- 通过DRAM内置温度传感器实现自动自刷新（ASR）
- 自动刷新和自刷新模式
- DRAM访问带宽：
- 按存储体组划分的独立I/O门控结构
- 自刷新中止
- 精细粒度刷新
- 信号同步：
- 通过模式寄存器（MR）设置进行写电平校准
- 通过多用途寄存器（MPR）进行读电平校准
- 可靠性与错误处理：
- 命令/地址奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 多用途寄存器（MPR）读出
- 边界扫描
- 速度等级（CL - TRCD - TRP）：2400Mbps/17 - 17 - 17 (-083T)
- 可编程功能：
- 输出驱动器阻抗（34/48）
- 列地址选通（CAS）写延迟（9/10/11/12/14/16/18/20）
- 附加延迟（0/CL - 1/CL - 2）
- 片选信号（CS#）到命令地址（3/4/5/6/8）
- 突发类型（顺序/交错）
- 写恢复时间（10/12/14/16/18/20/24）
- 读前导码（1T/2T）
- 写前导码（1T/2T）
- 突发长度（BL8/BC4/BC4或8动态选择）
- 信号完整性：
- 内部VREFDQ训练
- 读前导码训练
- 降速模式
- 每个DRAM可寻址性
- 可配置的驱动强度（DS）以实现系统兼容性
- 可配置的片内终结电阻（ODT）
- 数据总线反相（DBI）用于写操作
- 通过外部ZQ焊盘（240欧姆 ± 1%）进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度
- 节能与效率：
- 带VDDQ终结的部分掉电（POD）
- 命令/地址延迟（CAL）
- 最大节能模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 工作温度：
- 商业级（Tc = 0°C ~ +95°C）
- 工业级（Tc = -40°C ~ +95°C）
- 汽车A1级（Tc = -40°C ~ +95°C）
- 汽车A2级（Tc = -40°C ~ +105°C）
- 汽车A3级（Tc = -40°C ~ +125°C）
- 封装：78球BGA（10mm × 14mm，0.8mm球间距）