TSM089N08LCR
TSM089N08LCR
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- 商品型号
- TSM089N08LCR
- 商品编号
- C19856050
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- SO8封装双P沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 工作温度达150°C
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- 符合IEC61249-2-21标准，无卤
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准