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TSM085NB03DCR RLG

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM085NB03DCR RLG
商品编号: C19856048
商品封装: PDFNU-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
低栅极电荷，实现快速功率切换
100%进行了非钳位感性负载开关测试（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
符合RoHS标准
根据IEC 61249 - 2 - 21标准，无卤

应用领域

无刷直流电机控制
电池电源管理
DC - DC转换器
次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	15mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	40W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	20nC@10V

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	1.091nF
	反向传输电容(Crss)	106pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	176pF