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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPNVTFS5116PLTAG

耐压:60V 电流:16A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPNVTFS5116PLTAG
商品编号
C19829441
商品封装
PDFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1828克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)15.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.153nF
反向传输电容(Crss)77.7pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)-

商品特性

  • VDS = -60V,ID = -16A
  • 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 50mΩ(典型值)
  • 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 60mΩ(典型值)

应用领域

  • 电源管理
  • 负载开关

数据手册PDF