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TPM30NP12K4实物图
  • TPM30NP12K4商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM30NP12K4

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:18.6A

商品型号
TPM30NP12K4
商品编号
C19829458
商品封装
TO-252-4L​
包装方式
编带
商品毛重
0.414克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)22.1A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)490pF
反向传输电容(Crss)61pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

商品特性

  • RDS(ON) 15mΩ@Vgs=10V(N沟道)
  • RDS(ON) ≤ 36mΩ @VGS = -4.5V(P沟道)

应用领域

  • 电机/车身负载控制
  • 负载开关
  • PWM应用
  • 直流-直流转换器和离线式UPS

数据手册PDF