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AOD609
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:18.6A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- AOD609
- 商品编号
- C19829462
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4744克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 80A
- 当栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 8mΩ
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- DC/DC 转换器
- 负载开关
- LCD 显示器逆变器