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NVTFS5116PL
耐压:60V 电流:16A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- NVTFS5116PL
- 商品编号
- C19829679
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1336克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.153nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
GSF2301采用最新技术，实现了高单元密度和低导通电阻。这些特性使该器件在高效开关模式电源及各种其他应用中极为高效且可靠。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60V,漏极电流(ID) = -16A
- 当栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 65mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 85mΩ
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
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