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TPM60NP20K4
N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM60NP20K4
- 商品编号
- C19829459
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.864克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.108nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- N沟道
- VDS = 60V,ID = 15A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 40mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 71mΩ
- P沟道
- VDS = -60V,ID = -15A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 65mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
-电机/车身负载控制-负载开关-PWM应用-DC-DC转换器和离线式UPS