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TPM30NB25D8
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM30NB25D8
- 商品编号
- C19829457
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 3A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 95 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 75 mΩ
应用领域
- 负载开关
- 脉冲宽度调制（PWM）应用