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SMF7N70
1个N沟道 耐压:700V 电流:7A
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- 描述
- 特性：7.0A, 700V。 RDS(on)(Tvp) = 1.3Ω @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- SMF7N70
- 商品编号
- C19725785
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.469克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@25V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE0103M-ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 NCE0103M-ES 为无铅产品。
商品特性
- 100V，在 VGS = 10 V 时，RDS(ON) = 95 mΩ（典型值）
- 在 VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) = 125 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低 RDS(ON)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换