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SMF20N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- 特性：20.0A, 500V。 RDS(on)(Typ) = 210mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- SMF20N50
- 商品编号
- C19725790
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.963克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
30N06-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品30N06-ES为无铅产品。
商品特性
- 20.0A、500V,VGS = 10 V 时,RDS(on)(典型值) = 210 mΩ
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正