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HCF65R1K0
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 特性：4.0A, 650V, RDS(on)(Typ) =800mΩ@VGS=10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- HCF65R1K0
- 商品编号
- C19725796
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
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