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HCD65R260
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
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- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- HCD65R260
- 商品编号
- C19725799
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
AON7407-ES是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AON7407-ES为无铅产品。
商品特性
- 15.0A、650V,RDS(on)(典型值) = 220 mΩ,VGS = 10 V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 经过100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高频开关模式电源-有源功率因数校正